CSD25402Q3A采用3mm x 3mm SON封装的单通道8.9mΩ、-20V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款-20V，7.7mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计成最大限度地减少 SON 3 × 3 封装内的功率转换负载管理应用中的损耗，此封装类型针对器件的尺寸提供出色的热性能。

顶视图 RθJA = 55°C/W，这是在厚度为 0.060" 的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 铜过渡垫片（2 盎司）上测得的典型值。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%。

VDS (v) -20

VGS (v) -12

p沟道型

配置单一

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) （mΩ） 8.9

Rds（on）在VGS=2.5 V（最大值）（mΩ） 15.9

VGSTH type (type) (V) -0.9

QG (type) (nC

QGD (type) (nC

QGS (type) (nC

ID -硅限制在TC=25°C (A) -72

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150