您当前的位置:首页>>德州仪器半导体技术(上海)有限公司>>
CSD16407Q5采用5mm x 6mm SON封装的单通道3.3mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

CSD16407Q5采用5mm x 6mm SON封装的单通道3.3mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
|
公司名称: | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
产品品牌: | 德州仪器 |
产品型号: | CSD16407Q5 |
产品类型: | MOSFET |
产品产地: | 上海 |
发布时间: | 2025-08-12 11:33:30 |
技术参数
NexFET™ 功率MOSFET专为降低功率转换应用中的损耗而设计。
VDS (V) 25
VGS (V) 16
类型 N沟道
结构 单极型
Rds(on) 在VGS=10 V时(最大值)(mΩ) 2.4
Rds(on) 在 VGS=4.5 V 时(最大值)(mΩ) 3.3
VGSTH 典型值(典型值)(V) 1.6
QG(典型值)(nC) 13.3
QGD(典型值)(nC) 3.5
QGS(典型值)(nC) 5.3
ID - 硅限制值(在 TC=25°C 时)(A) 100
ID - 封装限制值(A) 100
逻辑电平 是
额定值 目录
工作温度范围(°C) -55 至 150
公司名称:德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品:德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
所在区域:上海市 | 服务电话:020-7724-9372 |
售后服务传真:020-7724-9372 | 邮编:200126 |
公司地址:上海市浦东新区海阳西路555号前滩中心10层 |