智新科技成功研发采用纳米银烧结技术的碳化硅模块，二期产线顺利下线

来自半导体世界的消息，智新科技最近宣布其采用纳米银烧结技术的碳化硅模块成功在二期产线完成下线。这一创新性的技术成果标志着我国在碳化硅半导体领域取得了重要进展。

碳化硅宽禁带半导体是国家“十四五”规划中的科技前沿领域攻关项目。智新科技的碳化硅模块以其高效率、高压和高工作温度的优势，在中高端新能源汽车领域的应用逐渐普及。

智新半导体的碳化硅模块项目基于东风集团的800V高压平台技术，自2021年开始先行开发，于2022年12月正式立项为量产项目。这个项目不仅展示了智新半导体在封装技术方面的领先地位，而且通过与中央企业和高等院校的广泛合作，实现了从模块设计、封装测试、电控应用到整车路试等环节的关键核心技术的自主掌控。

该碳化硅模块采用了先进的纳米银烧结工艺和铜键合技术，同时使用了高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化的pin-fin散热铜基板。这些技术的应用使得热阻相比传统工艺改善了10%以上，工作温度可达175℃，并且损耗相比IGBT模块大幅降低了40%以上，整车续航里程提升了5%-8%。

智新半导体自成立以来，一直致力于半导体技术的研究和创新。在短短四年时间里，该公司已申请受理专利51项，其中发明专利40项，已授权专利20项，显示出其在该领域的强大技术实力。此外，该公司还获得了湖北省“高新技术企业”认证和武汉市专精特新“小巨人”企业认定。

这一批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块的成功下线，将进一步推动智新科技在碳化硅半导体领域的发展，并有望为新能源汽车行业带来更大的效益和进步。智新科技将继续致力于技术创新和产品研发，为推动我国半导体产业的发展做出更大的贡献。