英诺赛科氮化镓项目全力推进，预计年底实现试产

据长三角示范区发布消息，英诺赛科（苏州）半导体有限公司正在全力推进其氮化镓项目，目前主体厂房施工已完成，计划在今年年底进行试产。这一项目的推进，标志着我国在第三代半导体领域取得了重要的进展。

英诺赛科氮化镓项目总投资额高达68.55亿元人民币，注册资本20亿元，项目规划涵盖了从器件设计、驱动IC设计开发、材料制造、器件制备、后段高端封测以及模块加工等全产业链环节。该项目的目标是构建一个世界一流的第三代半导体全产业链研发生产平台。

该项目的负责人表示，英诺赛科氮化镓项目的建成将填补我国高端半导体器件的产业空白，成为该领域全球首个大型量产基地。这将为我国的5G移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、航空航天、能源互联网等产业提供自主创新的元器件支持，推动这些产业的转型升级。

据了解，英诺赛科氮化镓项目不仅注重技术的研发和生产，还十分注重与产业链上下游企业的合作。通过构建全产业链的研发生产平台，英诺赛科将能够更好地整合产业链资源，提高生产效率，降低成本，从而增强其产品的市场竞争力。

试产的成功将是英诺赛科氮化镓项目的重要里程碑，标志着我国在第三代半导体领域迈出了重要的一步。未来随着该项目的全面投产，有望为我国半导体产业的发展注入新的动力，推动我国在全球半导体领域的地位进一步提升。