英诺赛科氮化镓项目预计明年二季度量产，年产半导体芯片78万片

据江苏卫视报道，英诺赛科氮化镓项目正在加速推进，目前厂房施工已经完成，预计明年二季度将正式量产，年产半导体芯片将达到78万片。

作为长三角一体化先行启动区的重点项目，英诺赛科氮化镓项目受到广泛关注。该项目是一家专业从事新型第三代半导体材料、器件以及集成电路开发与制造的高科技公司。目前英诺赛科已与下游封装企业建立合作关系，并与上游的IC设计公司等密切合作，借助长三角的半导体产业基础，与区域内更多企业开放合作，共同形成跨区域的产业链集群。

据了解，英诺赛科氮化镓项目旨在建设一个世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。该项目涵盖了从器件设计、驱动IC设计开发、材料制造、器件制备、后段高端封测以及模块加工等全产业链环节。

该项目自启动以来一直受到高度关注。2019年8月29日，英诺赛科苏州半导体芯片项目主厂房封顶，标志着项目整体工程进度取得重要进展。据当时消息，项目在2020年实现规模化量产，创造了超过2000个高科技工作岗位。

英诺赛科氮化镓项目的建成将填补我国高端半导体器件的产业空白，成为该领域全球首个大型量产基地，为5G移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、航空航天等产业提供核心电子元器件。随着项目的推进，将进一步提升我国在全球半导体领域的地位。

英诺赛科氮化镓项目的成功量产将对我国半导体产业的发展起到重要推动作用。未来随着技术的不断进步和市场的需求增长，英诺赛科氮化镓项目有望成为引领我国半导体产业发展的重要力量。