意法半导体成功制造出首批200mm碳化硅晶圆，推动电力电子芯片生产革新

近日，全球半导体巨头意法半导体宣布，其位于瑞典北雪平的工厂已成功制造出首批200mm（8英寸）碳化硅（SiC）晶圆片。这一里程碑式的成就将助力生产下一代电力电子芯片的产品原型，标志着意法半导体在碳化硅技术领域的重大突破。

意法半导体表示，此次SiC晶圆的升级到200mm代表着产能的扩大，以及支持汽车和工业市场实现系统和产品电气化的计划取得阶段性成功。这不仅意味着晶圆片本身的质量达到了严格的标准，同时也意味着制造设备和整体支持生态系统的升级换代正在顺利进行。

值得注意的是，与150mm晶圆相比，200mm晶圆可提供更大的制造集成电路可用面积，合格芯片的产量也大幅增加，大约是150mm晶圆的1.8-1.9倍。这一重要的技术进步将有望进一步提高电力电子芯片的生产效率和性能。

目前，意法半导体的碳化硅产品STPOWER SiC的前工序制造是在卡塔尼亚（意大利）和宏茂桥（新加坡）的150mm晶圆厂完成，而后工序制造则分布在深圳（中国）和布斯库拉（摩洛哥）的封测厂。此次200mm SiC晶圆的成功制造，是意法半导体布局更先进的、高成本效益的碳化硅量产计划的重要组成部分。

据了解，意法半导体正在执行SiC衬底建新厂和内部采购SiC衬底占比超40%的生产计划，而SiC晶圆升级到200mm正是这一战略的一部分。未来，意法半导体将继续与供应链上下游技术厂商合作，开发自己的制造设备和生产工艺，以推动碳化硅技术的进一步发展和应用。