LMG3100R017具有集成驱动器的100V 1.7mΩ GaN FET Texas Instruments德州仪器TI

LMG3100 器件是一款具有集成驱动器的 100V 连续、120V 脉冲氮化镓 (GaN) FET。该器件提供两种 Rds (on) 和最大电流型号，即 126A/1.7mΩ (LMG3100R017) 和 46A/4.4mΩ (LMG3100R044)。

该器件包含一个由高频 GaN FET 驱动器驱动的 100V GaN FET。LMG3100 包含一个高侧电平转换器和自举电路，因此两个 LMG3100 器件可用于形成半桥，而无需额外的电平转换器。

GaN FET 在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容 CISS 和输出电容 COSS 都非常小。驱动器和 GaN FET 均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG3100 器件采用 6.5mm × 4mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

无论 VCC 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。