LMG3650R025具有集成驱动器保护和零电压检测功能的650V 25mΩ TOLL封装GaN FET Texas Instruments德州仪器TI

LMG365xR025 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。

可调栅极驱动器强度允许独立地控制导通和最大关断压摆率，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。导通压摆率可以从 10V/ns 到 100V/ns 不等、而关断压摆率限制在 10V/ns 至最大值之间。

保护特性包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期过流限制、短路和过热保护。LMG3651R025 在 LDO5V 引脚上提供 5V LDO 输出，可用于为外部数字隔离器供电。

LMG3656R025 包含零电压检测 (ZVD) 功能，可在实现零电压开关时提供来自 ZVD 引脚的脉冲输出。LMG3657R025 包含零电流检测 (ZCD) 功能，可在漏源电流为负时将 ZCD 引脚设置为高电平，并在检测到过零点时转换为低电平。