CSD25310Q2采用2mm x 2mm SON封装的单通道23.9mΩ、-20V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款19.9mΩ、–20V P 沟道器件旨在以超薄且具有出色散热特性的极小封装提供更低的导通电阻和栅极电荷。

该器件将低导通电阻与 SON 2mm × 2mm 塑料封装的极小封装尺寸融为一体，堪称电池供电型空间受限应用的理想之选。

VDS(v) -20

VGS(v) -8

p沟道型

配置单一

VGS=4.5 V（最大）（mΩ） 23.9

VGS=2.5 V（最大）（mΩ） 32.5

VGSTH类型（type） (V) -0.85

QG (type) (nC

QGD (type) (nC) 0.5

QGS (type) (nC

ID -硅限制在TC=25°C (A) 9.6

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150