UCC27200-Q1具有8V UVLO和CMOS输入的汽车类3A 120V半桥栅极驱动器 Texas Instruments德州仪器TI

UCC27200-Q1 高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可更大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。

由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，如果驱动电压低于规定的阈值，则强制将输出置为低电平。

UCC27200-Q1 具有高抗噪 CMOS 输入阈值。

该器件采用 8 引脚 SO PowerPAD™ (DDA) 封装。