MSPM0L1228-Q1具有256KB双组闪存、32KB SRAM、12位ADC、COMP、VBAT的汽车级32MHz Arm® Cortex®-M0+ MCU Texas Instruments德

MSPM0Lx22x 微控制器 (MCU) 属于高度集成的超低功耗 32 位 MSPM0 MCU 系列，该 MCU 系列基于 Arm Cortex-M0+ 32 位内核平台，工作频率最高可达 32MHz。

这些 MCU 为需要采用小型封装（低至 4mm x 4mm）或高引脚数封装（高达 80 引脚）的 128KB 至 256KB 闪存存储器的应用同时提供了成本优化和设计灵活性。

这些器件包括 VBAT 备用岛、可选的分段式 LCD 控制器（在 MSPM0L222x 上）、网络安全机制和高性能集成模拟，并在整个工作温度范围内提供出色的低功耗性能。

这些器件提供具有内置纠错码 (ECC) 且高达 256KB 的嵌入式闪存程序存储器，以及具有 ECC 和奇偶校验保护功能且高达 32KB 的 SRAM。闪存存储器分为两个主要存储体，用于支持现场固件更新，并支持在两个主要存储体之间进行地址交换。

VBAT 岛中提供了一个由 VBAT 引脚供电的额外 32 字节备份存储器，其内容即使在主电源 (VDD) 丢失时也会保持。

VBAT 岛提供了一个完全独立的辅助电源域（与主电源分离），该电源域通过电池、超级电容器或备选电压电平（1.62V 至 3.6V）等备用电源为低频模块供电。VBAT 岛包括低频时钟系统（LFOSC、LFXT）、实时时钟、篡改检测和时间戳逻辑、一个独立的看门狗计时器和一个 32 字节的备用存储器。多达五个数字 IO 由 VBAT 电源供电。提供了一种充电模式，用于在 VDD 大于 VBAT 时选择通过主 (VBAT) 电源对 VBAT 引脚上的超级电容器进行涓流充电。

超低功耗分段式 LCD 控制器（在 MSPM0L2228 和 MSPM0L2227 器件上）支持使用多达 59 个引脚以各种多路复用器和偏置配置驱动 LCD 玻璃，从而实现低成本显示。

可以使用灵活的网络安全机制来支持安全启动、安全的现场固件更新、IP 保护（仅执行存储器）、密钥存储等。针对多种 AES 对称密码模式以及 TRNG 熵源提供了硬件加速。网络安全架构已通过 Arm® PSA 1 级认证。

提供了一组高性能模拟模块，其中包括一个最多支持 26 个外部通道的 12 位 1.68Msps SAR ADC。提供了一个模拟比较器，以支持模拟信号的低功耗或低延迟监控。

片上电压基准（1.4V 或 2.5V）可用于为 ADC 和比较器提供稳定的基准电压。支持使用内部温度传感器、VDD 电压和 VBAT 电压进行内核环境温度监测。

TI MSPM0 系列低功耗 MCU 包含具有不同模拟和数字集成度的器件，可让客户找到满足其工程需求的 MCU。MSPM0 MCU 平台将 Arm Cortex-M0+ 平台与超低功耗整体系统架构相结合，使系统设计人员能够在降低能耗的同时提高性能。