CSD17552Q5A采用5mm x 6mm SON封装的单路6.2mΩ、30V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

NexFET™功率MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2(6.45cm2)，2 盎司（厚度 0.071mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%.

VDS (v) 30

VGS (v) 20

n沟道型

配置单一

VGS=10 V（最大值）时的Rds(on) (mΩ

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) （mΩ）

VGSTH类型（type） (V

QG (type) (nC

QGD (type) (nC

QGS (type) (nC

ID -硅限制在TC=25°C (A) 88

ID -套餐有限公司(A) 60

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150