CSD15380F3采用0.6mm x 0.7mm LGA封装、具有栅极ESD保护的单路1460mΩ、20V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

该 20V、990mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。超低电容提高了开关速度。

在数据线应用中使用时，低电容可最大限度地降低噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

VDS (v

VGS (v

n沟道型

配置单一

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) （mΩ） 1460

VGSTH类型（type） (V

QG (type) (nC) 0.216

QGD (type) (nC) 0.027

QGS (type) (nC) 0.077

ID -硅限制在TC=25°C (A) 0.5

ID - package limited (A) 0.5

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150