TPIC6B259 150mA/通道8位可寻址锁存器 Texas Instruments德州仪器TI

该电源逻辑8位可寻址锁存器控制开漏dmos晶体管输出，专为数字系统中的通用存储应用而设计。具体用途包括工作寄存器、串行保持寄存器和解码器或解复用器。这是一个多-

能够将单线数据存储在8个可寻址锁存器和3到8个具有低活性DMOS输出的解码器或解复用器中的功能设备。

通过控制函数表中列举的clear （CLR\）和enable （G\）输入，可以选择四种不同的操作模式。在可寻址锁存模式中，数据输入(D)终端的数据被写入寻址锁存。寻址dmos -晶体管输出反转数据输入，所有未寻址dmos -晶体管输出保持其先前的状态。

在存储器模式下，所有dmos晶体管输出保持其先前的状态，不受数据或地址输入的影响。为了消除在锁存器中输入错误数据的可能性，当地址线发生变化时，启用G\应保持高位（非活动）。

在3到8解码或解复用模式中，寻址输出相对于D输入和所有其他输入是反向的

输出关闭。在clear模式下，所有输出都关闭，不受地址和数据输入的影响。当给定输出的数据较低时，dmos晶体管输出关闭。当数据量高时，dmos晶体管输出具有吸收电流能力。

输出是低侧开漏DMOS晶体管，输出额定值为50 V，连续下沉电流能力为150 ma。在TC = 25°C时，每个输出提供500 ma的典型电流限制。电流限制随着结温的增加而降低，以提供额外的器件保护。

TPIC6B259的特点是在-40°C至125°C的工作箱温度范围内工作。