TPS51216 2A LDO缓冲基准DDR2/3/3L/4存储器电源解决方案同步降压控制器 Texas Instruments德州仪器TI

TPS51216以最低的总成本和最小的空间为DDR2、DDR3和DDR3L存储系统提供完整的电源。它集成了一个同步降压调节器控制器（VDDQ），带有一个2-A吸收/源跟踪LDO （VTT）和缓冲低噪声参考（VTTREF）。

TPS51216采用D-CAP™模式，加上300 kHz/400 kHz频率，便于使用和快速瞬态响应。VTTREF跟踪VDDQ/2的精度为0.8%。VTT提供2 a的吸收/源峰值电流能力，只需要10 μ f的陶瓷电容。此外，一个专用的LDO电源输入是可用的。

TPS51216具有丰富的实用功能和优异的电源性能。它支持灵活的电源状态控制，将VTT置于S3的高z，并在S4/S5状态下放电VDDQ， VTT和VTTREF（软关）。具有低侧MOSFET RDS（on）传感，OVP/UVP/UVLO和热关闭保护的可编程OCL也可用。

TPS51216采用20引脚，3mm × 3mm， QFN封装，环境温度为-40°C至85°C。