LMG2100R044具有集成驱动器和保护功能的100V 4.4mΩ半桥GaN FET Texas Instruments德州仪器TI

LMG2100R044器件是一个90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级，集成栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应管。该器件由两个100V GaN FET组成，由一个半桥结构的高频90V GaN FET驱动器驱动。

氮化镓场效应管具有零反向恢复和非常小的输入电容CISS和输出电容COSS，为功率转换提供了显著的优势。所有器件都安装在一个完全无键合线的封装平台上，封装寄生元件最小化。LMG2100R044器件采用5.5mm × 4.5mm × 0.89mm无铅封装，可轻松安装在pcb上。

TTL逻辑兼容输入可以支持3.3V和5V逻辑电平，无论VCC电压如何。专有的自启动箝位技术确保了增强模式GaN场效应管的栅极电压在安全的工作范围内。

该器件通过提供更加用户友好的界面扩展了分立GaN场效应管的优点。它是一个理想的解决方案，应用需要高频，高效率的操作在一个小的形状因素。