CSD18537NQ5A采用5mm x 6mm SON封装的单通道13mΩ、60V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款 10mΩ，60V，SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成最大限度地减少功率转换应用中的损耗。

顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 2.1°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100µs，占空比
≤ 1%.

VDS (v) 60

VGS (v) 20

n沟道型

配置单一

VGS=10 V（最大值）(mΩ

VGSTH类型（type） (V

QG (type) (nC

QGD (type) (nC

QGS (type) (nC

ID -硅限制在TC=25°C (A) 54

ID -套餐有限(A) 50

逻辑级别

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150