LMG3426R050具有集成驱动器保护和零电压检测功能的600V 50mΩ GaN FET Texas Instruments德州仪器TI

集成驱动器和保护的LMG342xR050 GaN FET针对开关模式功率转换器，使设计人员能够实现新的功率密度和效率水平。

LMG342xR050集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，TI集成的精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成与TI的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。

栅极驱动强度可调，可控制20V/ns至150V/ns的摆压速率，可用于主动控制电磁干扰和优化开关性能。LMG3426R050包括零电压检测（ZVD）功能，当实现零电压开关时，从ZVD引脚提供脉冲输出。

LMG3427R050包括零电流检测（ZCD）功能，当检测到正漏源电流时，从ZCD引脚提供脉冲输出。

先进的电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN场效应管的温度通过可变占空比PWM输出来报告，从而简化了器件负载的管理。报告的故障包括过流、短路、过温、VDD UVLO、高阻抗RDRV引脚。