LM7481具有高栅极驱动温度范围为-55°C至125°C的3V至65V背对背NFET理想二极管控制器 Texas Instruments德州仪器TI

LM74810 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V至 65V的宽输入电源可保护和控制 12V 和 24V 输入供电系统。

该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持功能。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。

该器件具有可调节过压切断保护功能。LM74810 采用线性稳压和比较器方案实现反向电流阻断。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。

LM74810 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降）的影响。