LMG2100R026 100V 2.6mΩ半桥氮化镓(GaN)功率级 Texas Instruments德州仪器TI

LMG2100R026 器件是一款 93V 连续 100V 脉冲式 53A 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 GaN FET，采用半桥配置，由一个高频 GaN FET 驱动器驱动。

GaN FET 在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容 CISS 和输出电容 COSS 都非常小。驱动器和两个 GaN FET 均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG2100R026 器件采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

无论 VCC 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。