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CSD13202Q2采用2mm x 2mm SON封装的单通道9.3mΩ、12V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI
CSD13202Q2采用2mm x 2mm SON封装的单通道9.3mΩ、12V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD13202Q2 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-11 17:10:13 |
技术参数
此12V、7.5mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换和负载管理 应用中的损耗。该 SON 2 × 2 封装尺寸可提供出色的热性能。
VDS (v) 12
VGS (v) 8
n沟道型
配置单一
Rds（on）在VGS=4.5 V (max) (mΩ
VGSTH type (type) (V) 0.8
QG (type) (nC
QGD (type) (nC) 0.76
QGS (type) (nC) 0.98
ID -硅限制在TC=25°C (A) 14.4
ID - package limited (A
逻辑级别是
评级目录
工作温度范围（°C） -55 ~ 150
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
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