LM66100-Q1具有集成式FET的汽车类1.5V至5.5V 1.5A 0.5µA IQ理想二极管 Texas Instruments德州仪器TI

LM66100-Q1 是一款单输入单输出 (SISO) 集成式理想二极管，是各种应用的理想之选。该器件包含一个可在 1.5V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 P 沟道 MOSFET，并且支持 1.5A 的最大持续电流。

该芯片通过比较 CE 引脚电压和输入电压来提供支持。当 CE 引脚电压高于输入电压时，该器件被禁用并且 MOSFET 关断。当 CE 引脚电压比较低时，MOSFET 开启。LM66100-Q1 还具有反极性保护 (RPP) 功能，可保护器件不受输入接线错误的影响，例如电池装反。

可在 ORing 配置中使用两个 LM66100-Q1 器件，其实施方法与双二极管 ORing 相似。在此配置中，该器件将最高输入电压传递到输出端，同时阻断反向电流流入输入电源。这些器件可比较输入和输出电压，从而确保内部电压比较器成功阻断反向电流。

LM66100-Q1 采用标准 SC-70 封装，工作结温范围为 –40°C 至 150°C。