UCC27201A-Q1具有8V UVLO和负电压处理能力的汽车类3A 120V半桥栅极驱动器 Texas Instruments德州仪器TI

UCC27201A-Q1 高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可更大限度提高控制灵活性。这可在半桥式、全桥式、两开关正激式和有源箝位正激式转换器中提供 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC27201A-Q1 的 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压，这使得其在电源噪声环境下的性能得到了改善。

由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，如果驱动电压低于规定的阈值，则强制将输出置为低电平。

UCC27201A-Q1 具有 TTL 兼容阈值，并且采用带有散热焊盘的 8 引脚 SOIC 封装。