DRV8351-SEP具有自举二极管的耐辐射40V简单三相栅极驱动器 Texas Instruments德州仪器TI

DRV8351-SEP 是一款三相半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。此栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.5A 的峰值灌电流。

相位引脚 SHx 能够承受显著的瞬变负电压；而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的瞬变正电压 (57.5V) 绝对最大电压，从而提高系统的鲁棒性。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。