UCC21759-Q1适用于IGBT/SiC MOSFET且具有DESAT和内部钳位的汽车类3.0kVrms ±10A单通道隔离式栅极驱动器 Texas Instruments德州仪器TI

UCC21759-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 900V（直流），具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。UCC21759-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 636VRMS 的工作电压、超过 40 年的隔离栅寿命、6kVPK 的浪涌抗扰度，并提供较低的器件间偏斜和 >150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。

UCC21759-Q1 包含先进的保护特性，如快速短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及针对 SiC 和 IGBT 功率晶体管优化的输入和输出侧电源 UVLO。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压检测，从而进一步提高驱动器的多功能性并较少系统设计工作量、尺寸和成本。