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CSD17552Q3A采用3mm x 3mm SON封装的单路6mΩ、30V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI
CSD17552Q3A采用3mm x 3mm SON封装的单路6mΩ、30V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD17552Q3A |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-11 18:21:39 |
技术参数
这款30V 5.5mΩ 3.3mm × 3.3mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
VDS (v) 30
VGS (v) 20
n沟道型
配置单一
VGS=10 V（最大值）时的Rds(on) (mΩ
Rds（on）在VGS=4.5 V (max) (mΩ
VGSTH类型（type） (V
QG (type) (nC
QGD (type) (nC
QGS (type) (nC
ID -硅限制在TC=25°C (A) 74
ID -套餐有限公司(A) 60
逻辑级别是
评级目录
工作温度范围（°C） -55 ~ 150
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
| 所在区域：上海市 | 服务电话：020-7724-9372 |
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