BT1M120 Bosch博世碳化硅(SiC)单管MOSFET功率模块 |
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| 公司名称： | 博世(中国)投资有限公司 |
| 产品品牌： | Bosch博世半导体 |
| 产品型号： | BT1M120 |
| 产品类型： | SiC功率器件 |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-03-14 11:50:28 |
技术参数
BT1M120系列碳化硅器件阻断电压为1200V。封装版本设计用于具有约800V系统电压的（混动）电动汽车的车载充电器、车载DC-DC转换器以及逆变器等应用。
可靠的MOSFET减少了传导损耗和开关损耗，并支持更高的开关频率。
对于裸片类应用，比如应用于车载逆变器模块，也有非封装芯片版本可用。
| 公司名称：博世(中国)投资有限公司 | 主营产品：博世(中国)投资有限公司各类型传感器半导体 |
| 所在区域：上海市 | 服务电话：semiconductors.bosch@cn.bosch.com |
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