CSD17381F4采用1mm x 0.6mm LGA封装、具有栅极ESD保护的单通道117mΩ、30V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

此90mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能更大程度减小在许多手持式和移动应用中的空间占用。

这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

VDS (v) 30

VGS (v) 12

n沟道型

配置单一

Rds（on）在VGS= 10v (max) （mΩ） 109

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) (mΩ

VGSTH类型（type） (V) 0.85

QG (type) (nC) 1.04

QGD (type) (nC) 0.133

QGS (type) (nC) 0.226

ID -硅限制在TC=25°C (A) 3.1

ID - package limited (A) 3.1

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150