CSD25213W10采用1mm x 1mm WLP封装、具有栅极ESD保护的单通道47mΩ、-20V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。

顶视图在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA=75°C/W。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%受栅极电阻限制。

VDS (v) -20

VGS (v) -6

p沟道型

配置单一

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) (mΩ

VGS=2.5 V（最大）时的Rds(on) (mΩ

VGSTH类型（type） (V) -0.85

QG (type) (nC

QGD (type) (nC) 0.14

QGS (type) (nC) 0.74

ID -硅限制在TC=25°C (A) 1.6

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150