CSD75207W15采用1.5mm x 1.5mm WLP封装、具有栅极ESD保护的双通道共源极27mΩ、-20V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器T

CSD75207W15器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。

低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。 此器件也已经被授予美国专利 7952145，7420247，7235845 和 6600182。

VDS (v) -20

VGS (v) -6

p沟道型

双共源配置

VGS=4.5 V（最大值）时的Rds(on) (mΩ

Rds（on）在VGS=2.5 V (max) (mΩ

VGSTH type (type) (V) -0.8

QG (type) (nC

QGD（型）（nC） 0.4

QGS (type) (nC) 0.7

ID -硅限制在TC=25°C (A) 3.9

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150