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CSD87333Q3D采用3mm x 3mm SON封装的15A、30V、N沟道同步降压NexFET™功率MOSFET电源块 Texas Instruments德州仪器TI
CSD87333Q3D采用3mm x 3mm SON封装的15A、30V、N沟道同步降压NexFET™功率MOSFET电源块 Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD87333Q3D |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-11 16:00:18 |
技术参数
CSD87333Q3D NexFET™电源块是面向同步降压和升压 应用 的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。
该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，在与外部控制器或驱动器配合使用时， 可在高占空比应用中 提供灵活的解决方案。
VDS (v) 30
VGS (v) 10
电源模块
配置机械绞车
ID - TA=25°C (A)时的连续漏极电流
功率损耗(W) 1.5
损耗电流(A
电机控制，电源
评级目录
工作温度范围（°C） -55 ~ 150
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
| 所在区域：上海市 | 服务电话：020-7724-9372 |
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