CSD17577Q5A采用5mm x 6mm SON封装的单路5.8mΩ、30V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款30V，3.5mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。

顶部图标 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值。

最大 RθJC = 2.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

VDS (v) 30

VGS (v) 20

n沟道型

配置单一

VGS=10 V（最大值）时的Rds(on) (mΩ

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) （mΩ） 5.8

VGSTH类型（type） (V

QG (type) (nC

QGD (type) (nC

QGS (type) (nC

ID -硅限制在TC=25°C (A) 83

ID -套餐有限公司(A) 60

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150