CSD17577Q3A采用3mm x 3mm SON封装的单路6.4mΩ、30V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款30V，4.0mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。

顶部图标要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司的铜焊盘上测得的典型值。

最大 RθJC = 3.0°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

VDS (v) 30

VGS (v) 20

n沟道型

配置单一

VGS=10 V（最大值）（mΩ） 4.8

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) （mΩ） 6.4

VGSTH类型（type） (V

QG (type) (nC

QGD (type) (nC

QGS (type) (nC

ID -硅限制在TC=25°C (A) 83

ID -套餐有限公司(A) 35

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150