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CSD17578Q3A采用3mm x 3mm SON封装的单路9.4mΩ、30V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

CSD17578Q3A采用3mm x 3mm SON封装的单路9.4mΩ、30V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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公司名称: | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
产品品牌: | 德州仪器 |
产品型号: | CSD17578Q3A |
产品类型: | MOSFET |
产品产地: | 上海 |
发布时间: | 2025-08-11 14:25:39 |
技术参数
这款30V,6.3mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。
VDS (v) 30
VGS (v) 20
n沟道型
配置单一
VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ
Rds(on)在VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.4
VGSTH类型(type) (V
QG (type) (nC
QGD (type) (nC
QGS (type) (nC
ID -硅限制在TC=25°C (A) 54
ID -套餐有限公司(A
逻辑级别是
评级目录
工作温度范围(°C) -55 ~ 150
公司名称:德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品:德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
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