CSD83325L采用LGA封装、具有栅极ESD保护的双路5.9mΩ、12V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款12V、9.9mΩ、2.2mm x 1.15mm LGA 双路 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在以小巧封装更大程度地降低电阻和栅极电荷。

该器件尺寸小巧并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备的电池包应用。

VDS (v) 12

VGS (v) 10

n沟道型

双通漏

Rds（on）在VGS=4.5 V（最大）（mΩ） 5.9

VGSTH类型（type） (V) 0.95

QG (type) (nC

QGD (type) (nC

QGS (type) (nC

ID -硅限制在TC=25°C (A

ID - package limited (A

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150