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CSD19537Q3采用3mm x 3mm SON封装的单路14.5mΩ、100V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI
CSD19537Q3采用3mm x 3mm SON封装的单路14.5mΩ、100V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD19537Q3 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-11 11:49:59 |
技术参数
这款 100V 12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
VDS (v) 100
VGS (v) 20
n沟道型
配置单一
Rds（on）在VGS=10 V (max) （mΩ） 14.5
VGSTH类型（type） (V
QG (type) (nC
QGD (type) (nC
QGS (type) (nC) 5.5
ID -硅限制在TC=25°C (A) 53
ID -套餐有限(A) 50
逻辑级别
评级目录
工作温度范围（°C） -55 ~ 150
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
| 所在区域：上海市 | 服务电话：020-7724-9372 |
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