CSD85302L采用1.35mm x 1.35mm LGA封装、具有栅极ESD保护的双路共漏极24mΩ、20V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。

该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。

VDS (v)20

VGS (v)10

n沟道型

双通漏

VGS=4.5 V （max）时的Rds(on) (mΩ

VGSTH type (type) (V) 0.9

QG (type) (nC

QGD (type) (nC

QGS (type) (nC

ID -硅限制在TC=25°C (A

ID - package limited (A

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150