CSD87502Q2采用2mm x 2mm SON封装、具有栅极ESD保护的双路42mΩ、30V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET，采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用于同步降压等电源 应用。

此外，这些 NexFET功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大限度地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型 应用。

VDS (v)30

VGS (v)20

n沟道型

配置双

Rds（on）在VGS=10 V（最大）（mΩ） 32.4

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) (mΩ

VGSTH类型（type） (V

QG (type) (nC

QGD (type) (nC) 0.5

QGS (type) (nC

ID -硅限制在TC=25°C (A

ID - package limited (A

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150