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CSD87355Q5D采用5mm x 6mm SON封装的45A、30V、N沟道同步降压NexFET™功率MOSFET电源块 Texas Instruments德州仪器TI
CSD87355Q5D采用5mm x 6mm SON封装的45A、30V、N沟道同步降压NexFET™功率MOSFET电源块 Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD87355Q5D |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-11 11:24:14 |
技术参数
CSD87355Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。
该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。
VDS (v
VGS (v
电源模块
配置机械绞车
ID -在TA=25°C (A)时连续漏极电流45
功率损耗(W) 2.8
损耗电流(A) 25
电源特点
评级目录
工作温度范围（°C） -55 ~ 150
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
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