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CSD23285F5采用0.8mm x 1.5mm LGA封装、具有栅极ESD保护的单路35mΩ、-12V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI
CSD23285F5采用0.8mm x 1.5mm LGA封装、具有栅极ESD保护的单路35mΩ、-12V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD23285F5 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-11 10:38:13 |
技术参数
该 29mΩ、-12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。
这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
| 所在区域：上海市 | 服务电话：020-7724-9372 |
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