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CSD22205L采用1.2mm x 1.2mm LGA封装、具有栅极ESD保护的单路9.9mΩ、-8V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI
CSD22205L采用1.2mm x 1.2mm LGA封装、具有栅极ESD保护的单路9.9mΩ、-8V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD22205L |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-11 08:44:55 |
技术参数
这款-8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供更低的导通电阻和栅极电荷。
基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板（而非焊球）的器件芯片级封装。
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
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