您当前的位置:首页>>德州仪器半导体技术(上海)有限公司>>
CSD87503Q3E采用3mm x 3mm SON封装的双路共源极21.9mΩ、30V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI
CSD87503Q3E采用3mm x 3mm SON封装的双路共源极21.9mΩ、30V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
|
| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD87503Q3E |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-09 16:59:03 |
技术参数
CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源极、双路 N 沟道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。
此 3.3 × 3.3mm SON 器件具有低漏极至漏极导通电阻，可最大限度地较少损耗，且具有较少的组件数量，适用于空间受限的 应用。
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
| 所在区域：上海市 | 服务电话：020-7724-9372 |
| 售后服务传真：020-7724-9372 | 邮编：200126 |
| 公司地址：上海市浦东新区海阳西路555号前滩中心10层 |
