TPIC6A259 350mA/通道8位可寻址锁存器 Texas Instruments德州仪器TI

该电源逻辑8位可寻址锁存器控制开漏dmos晶体管输出，专为数字系统中的通用存储应用而设计。具体用途包括工作寄存器、串行保持寄存器和解码器或解复用器。

这是一种多功能设备，能够作为8个可寻址锁存器或具有低活性DMOS输出的8线解复用器运行。每个开漏DMOS晶体管具有一个独立的斩波限流电路，以防止在短路的情况下损坏。

通过控制函数表中列举的clear （CLR\）和enable （G\）输入，可以选择四种不同的操作模式。在可寻址锁存模式中，数据输入(D)终端的数据被写入寻址锁存。寻址dmos -晶体管输出反转数据输入，所有未寻址dmos -晶体管输出保持其先前的状态。

在存储器模式下，所有dmos晶体管输出保持其先前的状态，不受数据或地址输入的影响。为了消除在锁存器中输入错误数据的可能性，当地址线发生变化时，启用G\应保持高位（非活动）。

在8行解复用模式中，寻址输出相对于D输入是反向的，所有其他输出都是高输出。在clear模式下，所有输出都是高电平，不受地址和数据输入的影响。

提供单独的电源接地（PGND）和逻辑接地（LGND）端子，以提供最大的系统灵活性。为了减小寄生阻抗，所有的保护地线都必须连接到电源系统的外部接地上。LGND和PGND之间的单点连接必须在外部以减少逻辑和负载电路之间串扰的方式进行。

TPIC6A259提供热增强型双列直插（NE）封装和宽体表面贴装（DW）封装。TPIC6A259的特点是工作温度范围为-40°C至125°C。