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CSD23203W采用1mm x 1.5mm WLP封装、具有栅极ESD保护的单路19.4mΩ、-8V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI
CSD23203W采用1mm x 1.5mm WLP封装、具有栅极ESD保护的单路19.4mΩ、-8V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD23203W |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-11 14:22:16 |
技术参数
这款 –8V、16.2mΩ、P 通道器件经过设计，能够以具有出色散热特性的 1 × 1.5 mm 超薄小外形封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。
VDS (v) -8
VGS (v) -6
p沟道型
配置单一
Rds（on）在VGS=4.5 V (max) (mΩ
Rds（on）在VGS=2.5 V（最大）（mΩ） 26.5
VGSTH type (type) (V) -0.8
QG (type) (nC
QGD (type) (nC) 0.6
QGS (type) (nC
ID -硅限制在TC=25°C (A
逻辑级别是
评级目录
工作温度范围（°C） -55 ~ 150
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
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