LMG3425R050具有集成驱动器保护和温度报告功能以及理想二极管模式的600V 50mΩ GaN FET Texas Instruments德州仪器TI

LMG3425R050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，能够让设计人员实现更高水平的功率密度与效率。

LMG3425R050 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。

这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。

高级电源管理功能包括数字温度报告、故障检测和理想二极管模式。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。

报告的故障包括过流、短路、过热、VDD UVLO 以及高阻抗 RDRV 引脚。理想二极管模式通过启用空载时间控制功能的方式降低第三象限损耗。