LMG2656具有集成驱动器保护和电流检测功能的650V、230mΩ GaN半桥 Texas Instruments德州仪器TI

LMG2656是一个650V 230mΩ GaN功率场效应管半桥。LMG2656通过在6mm × 8mm QFN封装中集成半桥功率场效应管、栅极驱动器、自引导场效应管和高侧栅极驱动电平移位器，简化了设计，减少了元件数量，并减少了电路板空间。

可编程导通转换率提供EMI和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真降低了功耗，并允许低侧热垫连接到PCB电源接地。

高侧GaN功率场效应管可以用低侧参考栅极驱动引脚（INH）或高侧参考栅极驱动引脚（GDH）进行控制。在具有挑战性的电源开关环境中，高侧栅极驱动信号电平移位器可靠地将INH引脚信号传输到高侧栅极驱动器。

智能开关GaN自举FET没有二极管正向压降，避免了高侧电源过充，并且具有零反向恢复电荷。

LMG2656支持转换器轻负载效率要求和突发模式操作，具有低静态电流和快速启动时间。保护功能包括FET导通联锁、欠压闭锁（UVLO）、逐周期限流和过温关断。超低转换率设置支持电机驱动应用。