DRV8161具有单个电流检测放大器的最大105V单通道半桥智能栅极驱动器 Texas Instruments德州仪器TI

DRV816x 器件是半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。栅极驱动电压由 GVDD 电源引脚生成，集成自举电路用于驱动漏极电压高达 102V 的高侧 FET。智能栅极驱动架构支持高达 1A 拉电流和 2A 灌电流的 16 电平（48 种组合）栅极驱动峰值电流，以及内置的栅极驱动电流时序控制。这些器件可用于驱动各种类型的负载，包括无刷/有刷直流电机、PMSM、步进电机、SRM 和电磁阀。

内部保护功能可用于电源欠压、FET 过流和芯片过热等情况。nFAULT 引脚指示保护功能检测到的故障事件。nDRVOFF 引脚可以不依赖于 PWM 控制来启动功率级关断。DRV8162 和 DRV8162L 器件提供双电源架构，有助于实现安全转矩关闭 (STO) 功能。

许多器件参数（包括栅极驱动电流、死区时间、PWM 控制接口和过流检测）都可以通过一些连接到器件引脚的无源器件进行配置。集成的低侧电流检测放大器 (DRV8161) 可将电流测量信息返回至控制器。