LM5114具有4V UVLO和分离输出的7.6A/1.3A单通道栅极驱动器 Texas Instruments德州仪器TI

LM5114设计用于驱动升压型配置的低侧mosfet或驱动隔离拓扑中的次级同步mosfet。LM5114具有强大的吸收电流能力，可以并联驱动多个场效应管。LM5114还具有驱动低侧增强模式氮化镓（GaN）场效应管所需的功能。LM5114提供反相和非反相输入，以满足在单一器件类型中对反相和非反相栅极驱动的要求。

LM5114的输入与TTL/CMOS逻辑兼容，无论VDD电压如何，都能承受高达14 V的输入电压。LM5114具有分闸输出，可灵活地独立调节通断和关断强度。LM5114具有快速的开关速度和最小的传播延迟，便于高频操作。LM5114提供6引脚SOT-23封装和6引脚WSON封装，带外露焊盘以帮助散热。