UCC27517A-Q1具有5V UVLO和双输入结构的汽车类4A/4A单通道栅极驱动器 Texas Instruments德州仪器TI

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 开关。 借助于固有的大大减少击穿电流的设计，UCC27517A-Q1 能够灌、拉高峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为 13ns）。

UCC27517A-Q1 器件在输入上处理 -5V 电压。当 VDD = 12V 时，UCC27517A-Q1 可提供峰值为 4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

UCC27517A-Q1 在 4.5V 至 18V 的宽 VDD 范围以及 -40°C 至 140°C 的宽温度范围内运行。 VDD 引脚上的内部欠压锁定 (UVLO) 电路可在 VDD 超出运行范围时使输出保持低电平。 此器件能够在低电压（例如低于 5V）下运行，并且拥有同类产品中最佳的开关特性，因此非常适用于驱动诸如 GaN 功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。