TMAG5110高灵敏度、2D、双通道、霍尔效应锁存器 Texas Instruments德州仪器TI

TMAG5110和TMAG5111是二维双通道霍尔效应锁存器，通过 2.5V 至 38V 电源供电。由于专为高速和高温电机应用设计，这些器件针对利用旋转磁体的应用进行了优化。通过集成两个传感器和两个单独的信号链， TMAG511x 可提供两个独立的数字输出用于速度和方向计算 (TMAG5111)，或直接为每个独立锁存器提供数字输出 (TMAG5110)。这种高度集成允许使用一个 TMAG511x 器件，而不是两个单独的锁存器。

该器件提供标准的 3mT 工作点以及高灵敏度 1.4mT 工作点。更高的磁性灵敏度可实现灵活的低成本磁体选型和机械部件放置。 TMAG511x 还提供了三个 2 轴组合选项（X-Y、Z-X、Z-Y），以允许传感器相对于磁体灵活放置。

该器件在 –40°C 至 +125°C 的宽环境温度范围内能够保持稳定一致的优异性能。